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　　建筑物防雷區(qū)的劃分
　　按照IEC61312—1規(guī)定，應(yīng)將建筑物需要進行保護的空間劃分為不同的防雷區(qū)，以確定各部分空間雷擊電磁脈沖(LEMP)的嚴重程度和相應(yīng)的防護對策?！胺览讌^(qū)”用文字符號“LPZ”(LightningProtectionZone)表示。
　　各區(qū)以其交界處的電磁環(huán)境有明顯改變作為劃分不同防雷區(qū)的特征。
　　LPZ0A區(qū)
　　本區(qū)內(nèi)各物體都可能遭到直接雷擊，各物體都可能導(dǎo)走全部雷電流。本區(qū)內(nèi)的電磁場強度沒有衰減。
　　避雷針保護范圍以外的空間，均為IJ>Z0A&。如果建筑物頂部沒有裝設(shè)避雷針，電解離子接地極那么整個房頂將置于LPZ0A區(qū)之中，將會遭到直接雷擊。因此LPZ0A區(qū)即是防直擊雷區(qū)，其遭受LEMF的環(huán)境最為嚴酷。
　　LPZ0B區(qū)
　　本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到與0A區(qū)相同雷電流的直接雷擊，但本區(qū)內(nèi)電磁場沒有衰減。
　　避雷針保護范圍以內(nèi)的空間，不會遭到直接雷擊，均為LPZ0BgD顯然，該區(qū)內(nèi)的電磁場強度與LPZ0A區(qū)一樣，沒有衰減。
　　LPZ1區(qū)
　　本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊，流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比％區(qū)更??；本區(qū)內(nèi)電磁場強度可能衰減t這取決于屏蔽措施。
　　中由接地基礎(chǔ)網(wǎng)所包圍的標有“LPZ1”的室內(nèi)空間，屬LPZIK。在該區(qū)內(nèi)不會發(fā)生直接雷擊，同時由于接地基礎(chǔ)網(wǎng)的屏蔽作用，電磁場強度將有一定程度的衰減。
　　后續(xù)防雷區(qū)
　　當需要進一步減小流人的電流和電磁場強度時，應(yīng)增設(shè)后續(xù)防雷區(qū)。對流人電流的限制程度和電磁場的衰減程度，應(yīng)根據(jù)保護對象要求確定。
　　LPZ2區(qū)和LPZ3區(qū)即為后續(xù)防雷區(qū)。其中LPZ2區(qū)為屏蔽區(qū)，其LEMP比LPZ1K進一步衰減，流經(jīng)各導(dǎo)體的電流進一步減小。而LPZ3則為髙屏蔽區(qū)，其電磁環(huán)境比LPZ2K更佳。
　　通常，防雷區(qū)的級數(shù)越高，電磁環(huán)境參數(shù)就越好。
　　上面規(guī)定的各防雷區(qū)，除了LPZOA與LPZOB區(qū)之間無界面外，其余各防雷區(qū)之間均有明確分隔的交界面。在兩個防雷區(qū)的交界面附近，應(yīng)將所有穿過界面的金屬物體、電纜屏蔽層、金屬管道等做等電位連接e等電位連接的目的，在于減小防雷保護區(qū)內(nèi)各金屬物與各系統(tǒng)之間的電位差.
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